MOSFET-北京伊泰克电子有限公司

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产品型号	漏源击穿电压BVDSS	最小栅源电压VGS (±)	典型栅极门限电压VGS(th) (Typ.)	典型漏源导通电阻RDS(ON) (Typ.)	通道极性	GrossDie	典型应用
GFA124	20V	12V	0.65V @ IDS= 250µA	4.0mΩ @ VGS=4.5V, ID=1A	N-Channel	14,900	电源管理
GFA125	20V	10V	0.70V @ IDS= 250µA	88mΩ @ VGS=4.5V, ID=0.3A	N-Channel	229,500	锂电池保护
GFA126	-20V	8V	-0.70V @ IDS= -250µA	300mΩ @ VGS=-4.5V, ID=-0.3A	P-Channel	229,500	电源管理
GFA127	40V	20V	2.00V @ IDS= 250µA	12mΩ @ VGS=10V, ID=1A	N-Channel	21,000	电源管理
GFA128	30V	20V	1.50V @ IDS= 250µA	3mΩ @ VGS=10V, ID=1A	N-Channel	10,000	电源管理
GFA129	30V	12V	0.80V @ IDS= 250µA	12.5mΩ @ VGS=10V, ID=1A	N-Channel	34,500	电源管理
GFA130	30V	20V	1.50V @ IDS= 250µA	7.7mΩ @ VGS=10V, ID=1A	N-Channel	21,000	电源管理
GFA131	-40V	20V	-1.70V @ IDS= -250µA	26.5mΩ @ VGS=-10V, ID=-1A	P-Channel	21,200	电源管理
GFA133	20V	12V	0.65V @ IDS= 250µA	15mΩ @ VGS=4.5V, ID=1A	N-Channel	70,000	电源管理
GFA134	-30V	12V	-0.80V @ IDS= -250µA	50mΩ @ VGS=-10V, ID=-1A	P-Channel	70,000	电源管理
GFA135	30V	20V	1.50V @ IDS= 250µA	11mΩ @ VGS=10V, ID=1A	N-Channel	30,000	电源管理
GFA136	30V	20V	1.50V @ IDS= 250µA	4.2mΩ @ VGS=10V, ID=1A	N-Channel	14,500	电源管理